SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본딩 패드(301)의 주위에 공극(601)을 통하여 배선층(303)이 배치되며, 패시베이션막(401)은 본딩 패드(301)를 형성하는 배선층(303)의 막두께보다 얇고, 공극(601)의 폭은 패시베이션 막두께의 2배 이하로 한, 패시베이션막이 배선층보다 얇고, 본딩 시의 스트레스에 대한 내성이 높은 반도체 장치를 제공한다.