发明名称 method and Apparatus for Processing Substrate
摘要 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 상면에 순수를 토출하는 프리 웨트 단계와; 상기 프리 웨트 단계 이후에, 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 처리 단계;를 포함하되, 상기 처리 단계 이전에 상기 기판의 하면에 정전기 제거액을 토출하여 정전기를 제거하는 정전기 제거 단계를 더 포함한다.
申请公布号 KR20170003026(A) 申请公布日期 2017.01.09
申请号 KR20150093128 申请日期 2015.06.30
申请人 세메스 주식회사 发明人 이택엽
分类号 H01L21/02;H01L21/67 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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