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发明名称
method and Apparatus for Processing Substrate
摘要
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 상면에 순수를 토출하는 프리 웨트 단계와; 상기 프리 웨트 단계 이후에, 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 처리 단계;를 포함하되, 상기 처리 단계 이전에 상기 기판의 하면에 정전기 제거액을 토출하여 정전기를 제거하는 정전기 제거 단계를 더 포함한다.
申请公布号
KR20170003026(A)
申请公布日期
2017.01.09
申请号
KR20150093128
申请日期
2015.06.30
申请人
세메스 주식회사
发明人
이택엽
分类号
H01L21/02;H01L21/67
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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