发明名称 Quantun dot light emitting device using graphene
摘要 양자점 발광 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 양자점 발광 소자는 전자수송층; 상기 전자수송층 위에 형성된 것으로, 다수의 나노홀을 구비하는 형태로 패터닝된 그래핀층과, 상기 다수의 나노홀 내에 형성된 양자점을 포함하는 양자점 발광층; 상기 양자점 발광층 위에 형성된 정공수송층;을 포함한다. 또한, 양자점 발광소자 제조방법은 전자수송층, 정공수송층 및 상기 전자수송층과 정공수송층 사이에 마련된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광소자 제조방법에 있어서, 그래핀(graphene)층을 형성하는 단계; 상기 그래핀층에 다수의 나노홀을 형성하는 단계; 상기 다수의 나노홀에 양자점을 형성하여 양자점 발광층을 형성하는 단계;를 포함한다.
申请公布号 KR101689663(B1) 申请公布日期 2017.01.09
申请号 KR20100091104 申请日期 2010.09.16
申请人 삼성전자 주식회사 发明人 차남구;황성원;정훈재;손철수
分类号 H01L51/52;H01L33/26;H01L51/54 主分类号 H01L51/52
代理机构 代理人
主权项
地址