| 摘要 |
에칭 정지 선택도를 제공하는 귀한 HiK 층으로서 알루미늄 산화물(AlOx) 층을 갖는 메모리 셀들의 다층 스택. 스택의 각각의 층은 메모리 셀 디바이스를 포함한다. 회로는 메모리 셀들의 다층 스택에 인접한 소스 게이트 선택 다결정(SGS 폴리) 층을 포함하며, SGS 폴리 층은 다층 스택의 메모리 셀들에 대한 게이트 선택 신호를 제공하는 것이다. 회로는 또한 스택의 층들에 대한 채널을 위한 소스 도체를 제공하는 도전성 소스 층을 포함한다. AlOx 층은 소스 층과 SGS 폴리 층 사이에 배치되며, 메모리 셀들을 소스 층에 전기적으로 결합하는 채널을 생성하기 위해 건식 에칭 선택도와 습식 에칭 선택도 둘 다를 제공한다. |
