| 摘要 |
본 발명개시의 실시예들은 일반적으로, 비휘발성 메모리, 및, 특히, 조정가능한 셀 비트 형상들을 갖는 비휘발성 메모리에 관한 것이다. 일 실시예에서, 조정가능한 메모리 셀이 제공된다. 메모리 셀은 일반적으로, 게이트 전극, 적어도 하나의 기록층 및 채널층을 포함한다. 채널층은 일반적으로 공핍 영역을 지원할 수 있고 게이트 전극과 적어도 하나의 기록층 사이에 배치된다. 이 실시예에서, 게이트 활성화시, 채널층은 공핍될 수 있고, 채널에 초기에 흐르는 전류는 적어도 하나의 기록층을 통해 조종될 수 있다. |
