| 摘要 |
질소산화물 센서가 제공된다. 질소산화물 센서는 고체전해질 층, 고체전해질 층의 일단에 위치하여 외부의 배기가스가 유입되는 유입면 및 배기가스가 배출되는 배출면을 포함하고, 배기가스 내 불순물의 포집량을 증가시키기 위해서 유입면의 면적은 배출면의 면적보다 크고, 유입면에서 배출면으로 갈수록 면적이 점차 작아지며 길이방향으로 연장 형성되어 고체전해질 층의 일 단부보다 돌출 형성된 제1 확산통로, 제1 확산통로와 연통되어 제1 확산통로를 통과한 배기가스 중 산소 분압을 제어하는 제1 캐비티, 제1 캐비티에 형성된 내측 펌핑 전극 및 제1 캐비티와 다른 위치에 형성된 외측 펌핑 전극을 포함하여, 내측 펌핑 전극과 외측 펌핑 전극 사이의 전압을 제어하여 배기가스 중 산소를 제거시키는 제1 펌핑 전극, 제1 캐비티에 연통되어 제1 캐비티를 통과한 질소산화물을 질소와 산소 이온으로 분해시키는 제2 캐비티, 제2 캐비티에 형성된 검지전극 및 제2 캐비티와 다른 위치에 형성되고, 일단부가 대기와 연통된 에어덕트 내부에 설치되는 기준전극을 포함하여, 검지전극과 기준전극 사이의 전압을 제어하여 산소 이온을 검지전극으로 이동시킴으로써 발생되는 전류로부터 질소산화물의 농도를 측정한다. |
