| 摘要 |
본 발명은 액침 리소그래피에 있어서는 레지스트 표면의 활수성을 보다 한층 더 높이고, EB나 EUV 리소그래피에 있어서는 아웃 가스의 발생을 한층 더 억제하며, 엣지 러프니스를 작게 할 수 있게 되는 레지스트 조성물 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 (A) 불소 원자 함유 폴리머, (B) 베이스 수지, (C) 산발생제, (D-1) 탄소수 5~8의 케톤류, 알콕시기, 카르보닐기 및 에스테르기에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 탄소수 4~6의 알코올류, 히드록시기 또는 2개의 에테르기를 포함하는 탄소수 3~6의 에테르류, 및 에테르기 또는 히드록시기를 포함하는 탄소수 4~9의 에스테르류에서 선택되는 제1 용제, 및 (D-2) 탄소수 6~9의 단환의 락톤환을 포함하는 제2 용제를 포함하고, 상기 제2 용제가 베이스 수지 100 질량부에 대하여 200 질량부 초과 1,000 질량부 이하의 범위에서 첨가되어 있는 레지스트 조성물을 제공한다. |
