发明名称 OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명의 목적은 양호한 전기 특성들을 가진 매우 신뢰 가능한 반도체 장치와, 반도체 장치를 스위칭 소자로서 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다. 산화물 반도체층을 포함하는 트랜지스터에서, 산화물 반도체층의 적어도 하나의 표면측 상에 제공된 침형 결정군(needle crystal group)은 상기 표면에 수직한 c-축 방향으로 성장하고 상기 표면에 평행한 a-b 평면을 포함하고, 침형 결정군을 제외한 부분은 비정질 영역이거나 또는 비정질과 미결정들이 혼합된 영역이다. 따라서, 양호한 전기 특성들을 가진 매우 신뢰 가능한 반도체 장치가 형성될 수 있다.
申请公布号 KR101693544(B1) 申请公布日期 2017.01.06
申请号 KR20167006658 申请日期 2010.08.30
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 야마자키 순페이;사카쿠라 마사유키;와타나베 료스케;사카타 준이치로;아키모토 켄고;미야나가 아키하루;히로하시 타쿠야;기시다 히데유키
分类号 H01L29/786;H01L21/263;H01L27/12;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/417 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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