MULTI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING OXYGEN-SCAVENGED GATE STACKS

摘要

방법은 반도체 핀 상에 실리콘 캡층을 형성하는 단계, 실리콘 캡층 위에 계면층을 형성하는 단계, 계면층 위에 하이 k 게이트 유전체를 형성하는 단계, 및 하이 k 게이트 유전체 위에 스캐빈지 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 그런 후, 실리콘 캡층, 계면층, 하이 k 게이트 유전체, 및 스캐빈지 금속층에 대해 어닐링이 수행된다. 충전 금속이 하이 k 게이트 유전체 위에 퇴적된다.