| 摘要 |
본 발명은 실리콘 표면 상에 질화물 반도체 컴포넌트의 층 구조를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 다음 단계: 실리콘 표면을 갖는 기판이 준비되는 단계; 상기 기판의 실리콘 표면 상에 알루미늄-함유 질화물 핵형성 층이 증착되는 단계; 상기 질화물 핵형성 층 상에 알루미늄-함유 질화물 버퍼 층이 선택적으로 증착되는 단계; 상기 질화물 핵형성 층 또는 존재하는 경우, 제1 질화물 버퍼 층 상에 마스킹 층이 증착되는 단계; 및 상기 마스킹 층 상에 갈륨-함유 제1 질화물 반도체 층이 증착되는 단계를 포함하며, 상기 마스킹 층은 개별적인 결정이 상기 제1 질화물 반도체 층의 증착 단계에서, 합체 층 두께 위에서 먼저 상호성장하고, 성장 방향에 수직인 상호성장한 질화물 반도체 층의 층 평면에서 적어도 0.16 μm의 평균 표면적을 커버하도록 하는 방식으로 증착된다. |
