| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN AND A DRAIN EXTENSION REGION AND MANUFACTURING METHOD |
| 摘要 |
반도체 디바이스의 일 실시예는 반도체 바디의 제 1 측 위에 핀을 포함한다. 반도체 디바이스는 핀의 적어도 일부에 제 2 전도형의 바디 영역을 더 포함한다. 반도체 디바이스는 제 1 전도형의 드레인 확장 영역, 제 1 전도형의 소스 및 드레인 영역 그리고 핀의 대향 벽에 접하는 게이트 구조를 더 포함한다. 바디 영역과 드레인 확장 영역은 소스 영역과 드레인 영역 사이에 차례로 정렬된다. |
| 申请公布号 |
KR101694094(B1) |
申请公布日期 |
2017.01.06 |
| 申请号 |
KR20160031703 |
申请日期 |
2016.03.16 |
| 申请人 |
인피니언 테크놀로지스 오스트리아 아게 |
发明人 |
마이저 안드레아스;캄펜 크리스티안 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8234;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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