| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: – einen p-Typ-Halbleiterbereich (4), – einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), – eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (6) angeordnete aktive Schicht (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei – die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) Quantentopfschichten (51A) und Barriereschichten (51B) aufweist, und – die Quantentopfschichten (51A) InxAlyGa1-x-yAs mit 0 ≤ x ≤ 1, 0,01 < y < 0,2 und x + y ≤ 1 aufweisen. |
