| 摘要 |
【課題】半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生するため、特に、半導体装置に近接して使用されるはんだ材料に対して高純度化とα線の少ない材料が求められている。そこで、ビスマスのα線発生の現象を解明すると共に、ビスマスのα線量を低減させた高純度ビスマスとその製造方法、並びに低α線のビスマスと錫との合金及びその製造方法の提供。【解決手段】α線量が０．５ｃｐｈ／ｃｍ２以下であるビスマスを原料とし、電気分解により原料ビスマスを硝酸溶液に溶解して、ビスマス濃度を５〜５０ｇ／Ｌ、ｐＨ０．０〜０．４の硝酸ビスマス溶液を作製し、この溶液をイオン交換樹脂を詰めたカラムに通して、溶液中のポロニウムをイオン交換樹脂で交換除去し、イオン交換樹脂に通液後の液を電解採取して、ビスマスを回収するα線量が０．００３ｃｐｈ／ｃｍ２以下である低α線ビスマスの製造方法。【選択図】図２ |
