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Transistor mit MOS-Gate (1540), umfassend: einen Body-Bereich (1520), welcher an einen Trench angrenzt; einen Source-Bereich (1510), welcher an den Trench angrenzt und einen ersten pn-Übergang mit dem Body-Bereich (1520) festlegt; einen Drain-Bereich (1530), der an den Trench angrenzt und einen zweiten pn-Übergang mit dem Body-Bereich (1520) festlegt; eine Schicht von leitfähigem Material (1534), welche vertikal entlang einer Seitenwand des Trench angebracht ist und welche an zumindest einen Teil des Body-Bereichs (1520) angrenzt, wobei die Schicht (1534) eine niedrigere Energielücke als der Drain-Bereich (1530) aufweist und wobei sich die Schicht (1534) auch durch den Source-Bereich (1510) erstreckt; einen Kanalbereich, welcher zumindest einen Teil der Schicht (1534) beinhaltet; und ein Gate (1540), das im Trench zwischen dem Source-Bereich (1510) und dem Drain-Bereich (1530) angebracht ist, wobei der Kanalbereich gegen das Gate (1540) durch ein Gate-Dielektrikum (1570) isoliert ist, und wobei der Kanalbereich ferner eine Siliziumdeckschicht (1532) beinhaltet, welche zwischen der Schicht (1534) und dem Gate-Dielektrikum (1570) angebracht ist. |
