发明名称 半導体装置およびその製造方法
摘要 【課題】製品サイズの大型化が抑制でき、配線層間の絶縁耐圧が向上する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】互いに間隔をあけて隣り合う第1の配線層I1および第2の配線層I2の間において、層間絶縁膜IInとパッシベーション膜PVとの間の界面が途切れた途切れ部が形成されている。その途切れ部において層間絶縁膜IInとパッシベーション膜PVとの双方がエアギャップAGに面している。【選択図】図2
申请公布号 JP2017005227(A) 申请公布日期 2017.01.05
申请号 JP20150121024 申请日期 2015.06.16
申请人 ルネサスエレクトロニクス株式会社 发明人 常峰 美和;五十嵐 孝行
分类号 H01L21/768;H01L21/822;H01L23/532;H01L27/04 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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