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发明名称
半導体装置およびその製造方法
摘要
【課題】半導体素子の裏面に発生するストレスを、製造する過程で容易に検出する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック基板12上に焼結性金属接合材料からなる接合層13を介して接合する半導体素子11の裏面電極21の電気抵抗を一対の電極体32により測定する。電気抵抗の変動から製造時の加圧によるひずみを推定し、電気抵抗が所定の範囲に収まるように制御し、工程でのストレスのばらつきを抑制して安定性を向上させる。【選択図】図1
申请公布号
JP2017005126(A)
申请公布日期
2017.01.05
申请号
JP20150117960
申请日期
2015.06.11
申请人
三菱電機株式会社
发明人
菊池 正雄
分类号
H01L21/60;B23K20/00;B23K20/16;G01L1/20;H01L23/12
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
主权项
地址
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