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Verfahren zur Herstellung eines FinFETs (10), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Halbleiterstegstruktur (102, 104) aus einer Schicht aus Halbleitermaterial (106), wobei eine Halbleiterstegstruktur eine Abdeckung auf dem Halbleitermaterial umfassen kann; Abscheiden eines isolierenden Materials (120) über der Halbleiterstegstruktur (102, 104) derart, dass das isolierende Material (120) den Raumbereich benachbart zu der Halbleiterstegstruktur (102, 104) auffüllt, woraus sich ein abgeschiedenes isolierendes Material (120) ergibt; Erzeugen einer ebenen Oberfläche (122) aus dem abgeschiedenen isolierenden Material (120), wobei die ebene Oberfläche (122) eine obere Oberfläche der Halbleiterstegstruktur (102, 104) umfasst; Herstellen einer Platzhaltergatestruktur (130) über der ebenen Oberfläche (122), wobei die Platzhaltergatestruktur (130) quer über der Halbleiterstegstruktur (102, 104) ausgebildet ist; Abscheiden eines Abstandshaltermaterials über der Platzhaltergatestruktur (130) nach dem Herstellen der Platzhaltergatestruktur (130); anisotropes und selektives Ätzen des abgeschiedenen Abstandshaltermaterials, um Abstandshalter (140) benachbart zu den Seitenwänden der Platzhaltergatestruktur (130) zu bilden; anschließendes Entfernen der Platzhaltergatestruktur (130), wobei die Abstandshalter (140) im Wesentlichen bewahrt werden, so dass die ebene Oberfläche zwischen den Abstandshaltern (140) freigelegt wird; und anschließendes selektives Ätzen eines gewissen Teils des abgeschiedenen isolierenden Materials (120) unter einem Bereich, der zwischen den Abstandshaltern (140) ausgebildet ist, in selbstjustierter Weise in Bezug auf die Abstandshalter (140). |
