发明名称 不揮発性記憶素子及びその製造方法
摘要 第1電極(105)と第2電極(107)との間に介在する抵抗変化層(106)は、第1電極(105)に接する第1の抵抗変化層(106a)と、第2電極(107)に接して酸素不足度が第1の抵抗変化層(106a)よりも小さい第2の抵抗変化層(106b)とを有し、第1の抵抗変化層(106a)の第2の抵抗変化層(106b)に近い主面は平坦であり、第2の抵抗変化層(106b)は、抵抗変化層(106)の主面に垂直な方向に見て抵抗変化層(106)の輪郭の内部に位置する頂点(170)と輪郭上に位置する複数の頂点(171)とを有する多角形の領域(160)において第1の抵抗変化層(106a)及び第2電極(107)の双方と接し、かつ前記多角形の前記内部領域外の領域において第1の抵抗変化層(106a)及び第2電極(107)の少なくとも一方と接していない。
申请公布号 JPWO2014076869(A1) 申请公布日期 2017.01.05
申请号 JP20140504097 申请日期 2013.10.04
申请人 パナソニック株式会社 发明人 早川 幸夫;三河 巧
分类号 H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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