| 发明名称 |
半導体装置用ボンディングワイヤ |
| 摘要 |
【課題】１７５℃〜２００℃のＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比の両立を図る。【解決手段】Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤがＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が総計で０．０３〜２質量％であり、耐力比が１．１〜１．６であることを特徴とする。【選択図】なし |
| 申请公布号 |
JP2017005240(A) |
申请公布日期 |
2017.01.05 |
| 申请号 |
JP20160065088 |
申请日期 |
2016.03.29 |
| 申请人 |
日鉄住金マイクロメタル株式会社;新日鉄住金マテリアルズ株式会社 |
发明人 |
山田 隆;小田 大造;榛原 照男;大石 良;齋藤 和之;宇野 智裕 |
| 分类号 |
H01L21/60;C22C9/00;C22C9/04;C22C9/06;C23C28/02 |
主分类号 |
H01L21/60 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
