| 摘要 |
【課題】表面荒れが発生した領域では、アクセプタに対する補償ドナーとして機能する窒素空孔が発生するので、十分なｐ型キャリア濃度を得ることができない。また、保護膜からの不純物拡散または保護膜の不十分な除去に起因して、ＧａＮ系材料の表面が汚染されて、その後のプロセスまたは完成したデバイスの特性に対して悪影響がでる。【解決手段】本発明の第１の態様においては、窒化物半導体層を熱処理する熱処理工程、または、窒化物半導体層のおもて面に形成された膜を除去する除去工程と、熱処理工程または除去工程よりも後の工程であって、窒化物半導体層のおもて面を研磨する研磨工程とを備える、窒化物半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図１ |
