| 摘要 |
磁気抵抗効果素子の素子分離工程において該素子の側壁に付着する再付着膜をイオンビームエッチングにより効率良く除去する製造方法を提供する。基板の位置をグリッドに対して傾け、基板を回転させながら行うイオンビームエッチングにおいて、基板の回転速度を制御することにより、基板上に形成されたパターン溝が延在する方向側から入射するイオンビームのエネルギー量を、他の方向側から入射するイオンビームのエネルギー量よりも大きくして、基板上に形成された磁気抵抗効果素子の側壁に付着した再付着膜を効率良くエッチング除去する。 |
