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发明名称
磁気抵抗効果素子の製造方法
摘要
磁気抵抗効果素子の製造工程において、素子分離後の側壁に付着した再付着膜中の貴金属原子を効率良く除去し、再付着膜に起因するショートを防止した製造方法を提供する。素子分離後の磁気抵抗効果素子側壁に形成された再付着膜に対してKrガス又はXeガスのプラズマを用いて形成したイオンビームを照射することにより、再付着膜中から貴金属原子を選択的に除去する。
申请公布号
JPWO2014080782(A1)
申请公布日期
2017.01.05
申请号
JP20140548515
申请日期
2013.11.11
申请人
キヤノンアネルバ株式会社
发明人
中川 行人;小平 吉三;栗田 資三;中川 隆史
分类号
H01L43/12;H01L21/302;H01L43/08
主分类号
H01L43/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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