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Halbleiterbauelement (1) mit einem ersten Lastanschluss (11), einem zweiten Lastanschluss (12) und einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Aktivregion (13) umfasst, die ausgebildet ist zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), sowie eine die Aktivregion (13) umgebende Übergangsabschlussregion (14), wobei der Halbleiterkörper (10) beinhaltet: eine Driftschicht (101), die sowohl in der Aktivregion (13) und in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist, und die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Driftschicht-Dotierstoffkonzentration von weniger als 1014 cm–3 aufweist; ein Bodygebiet (16), das in der Aktivregion (13) angeordnet ist und das Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, aufweist, und das die Driftschicht (101) von dem ersten Lastanschluss (11) isoliert; ein Schutzgebiet (17), das in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist und das Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, und das ausgebildet ist, eine Verarmungsregion, die durch einen Übergang zwischen der Driftschicht (101) und dem Bodygebiet (16) gebildet wird, zu vergrößern; ein Feldstoppgebiet (18-1), das benachbart zum Schutzgebiet (17) angeordnet ist, wobei das Feldstoppgebiet Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Feldstoppgebiet-Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 2 größer ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration; und ein Niedrigdotiergebiet (18-2), das benachbart zum Feldstoppgebiet (18-1) angeordnet ist, wobei das Niedrigdotiergebiet (18-2) Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 1,5 niedriger ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration, und wobei das Bodygebiet (16), das Schutzgebiet (17), das Feldstoppgebiet (18-1) und das Niedrigdotiergebiet (18-2) derart im Halbleiterkörper (10) angeordnet sind, dass sie einen gemeinsamen Tiefenerstreckungsbereich (DR) von wenigstens 1 μm entlang einer vertikalen Erstreckungsrichtung (Z) aufweisen. |
