| 摘要 |
【課題】セルフアライン構造の酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、高い電気特性を有し、且つ安定した電気特性を付与したトランジスタを提供する。【解決手段】酸化物半導体膜と金属膜とが接した状態で、不活性ガス雰囲気下で加熱処理することにより、該酸化物半導体膜に金属膜の元素を導入し、チャネル形成領域よりも抵抗が低い低抵抗領域を形成する。また、該加熱処理により金属膜は、酸化物半導体膜と接した領域が金属酸化物絶縁膜となる。その後金属膜の不要な領域を除去する。これによって、低抵抗領域上に金属酸化物絶縁膜を形成することが可能となる。また、金属酸化物絶縁膜により外部から酸化物半導体膜中へ侵入する不純物の拡散、または酸化物半導体膜から脱離する酸素を抑制することができる。【選択図】図１ |
