| 摘要 |
【課題】実装面積の増大を抑制するとともに、製造ばらつきによる電力増幅モジュールの特性変動を抑制する。【解決手段】電力増幅モジュール１１２Ａは、無線周波数信号を増幅する増幅トランジスタＴＲ０と、バイアス制御電圧ＶＣＯＮＴに応じたバイアス電流を増幅トランジスタのベースに供給するバイアス回路２２０Ａと、を備える。バイアス回路は、バイアス制御電圧に応じた第１の電流Ｉ１を生成する、所定の抵抗値を有する第１の抵抗器Ｒ１と、第１の電流に応じた第２の電流Ｉ２がコレクタに供給される第１のトランジスタＴＲ１と、第１のトランジスタのベース電流に応じた第１の電圧Ｖ１を生成する、所定の抵抗値を有する第２の抵抗器Ｒ２と、第１の電圧に応じたバイアス電流を出力する出力回路と、を備える。第１の電圧は、第１の抵抗器の抵抗値の増大に伴って下降し、第２の抵抗器の抵抗値の増大に伴って上昇する。【選択図】図２ |
