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Halbleitereinheit (10), mit: einer Isolationsschicht (21); einer leitenden Schicht (22 bis 25), die mit einer Seite der Isolationsschicht (21) verbunden ist; einer Halbleitereinrichtung (41 bis 46), die auf der leitenden Schicht (22 bis 25) angebracht ist; einem Kühler (11), der mit der anderen Seite der Isolationsschicht (21) thermisch gekoppelt ist; einer ersten Stromschiene (34) mit einer Verbindungsoberfläche (34A), die mit der leitenden Schicht (22 bis 25) verbunden ist, und einer Nichtverbindungsoberfläche, die der Teil der ersten Stromschiene außer der Verbindungsoberfläche ist; und einer zweiten Stromschiene (29) mit einer Verbindungsoberfläche (29A), die mit der Halbleitereinrichtung (41 bis 46) verbunden ist, und einer Nichtverbindungsoberfläche, die der Teil der zweiten Stromschiene außer der Verbindungsoberfläche ist, wobei die zweite Stromschiene (29) ein größeres Verhältnis des Bereichs der Nichtverbindungsoberfläche zu dem Bereich der Verbindungsoberfläche (29A) als die erste Stromschiene (34) aufweist, wobei die zweite Stromschiene (29) einen größeren Querschnittsbereich eines Strompfades als die erste Stromschiene (34) aufweist oder die zweite Stromschiene (29) aus einem Material hergestellt ist, das eine elektrische Leitfähigkeit aufweist, die größer als die der ersten Stromschiene (34) ist. |
