发明名称 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
摘要 【課題】位相シフト膜を形成する材料にケイ素系材料を適用した場合でも、その位相シフト膜の面内や膜厚方向における組成や光学特性の均一性が高く、複数の基板間における位相シフト膜の組成や光学特性の均一性も高く、さらに低欠陥であるマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板1上に、ArF露光光を所定の透過率で透過し、かつ透過するArF露光光に対して所定量の位相シフトを生じさせる機能を有する位相シフト膜2が設けられたマスクブランクであって、位相シフト膜は、低透過層21および高透過層22が積層した構造を含み、低透過層および高透過層は、ケイ素および窒素からなる材料、または当該材料に半金属元素、非金属元素および希ガスから選ばれる1以上の元素を含有する材料で形成され、低透過層は、高透過層に比べて窒素含有量が相対的に少ない。【選択図】図1
申请公布号 JP2017004008(A) 申请公布日期 2017.01.05
申请号 JP20160174229 申请日期 2016.09.07
申请人 HOYA株式会社 发明人 野澤 順;宍戸 博明;酒井 和也
分类号 G03F1/32;G03F7/20 主分类号 G03F1/32
代理机构 代理人
主权项
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