| 摘要 |
【課題】半導体装置の微細化が進展したとしても、配線の短絡発生を抑制することができる、セルフアライメントコンタクトの適用が可能な構造を有した半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】被処理体の被処理面上に、内部に電気的配線を含み、表面に絶縁物が露呈している複数の配線パターンを形成する工程（ステップ１）と、複数の配線パターンを、絶縁物とは異なり、かつ、絶縁物よりもエッチングレートが遅い第１の薄膜で覆う工程（ステップ２）と、複数の配線パターンが形成されている被処理体の被処理面に、層間絶縁膜を形成する工程（ステップ３）と、層間絶縁膜に、複数の配線パターン間に自己整合する開孔を形成する工程（ステップ４）と、開孔内を、導電物で埋め込む工程（ステップ５）とを具備する。【選択図】図１ |
