发明名称 PATTERN FORMING METHOD ETCHING METHOD METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 패턴 형성 방법은, (i) 기판 상에, 하기 공정 (i-1), 하기 공정 (i-2) 및 하기 공정 (i-3)을 이 순서로 행하여, 제1 네거티브형 패턴을 형성하는 공정, (i-1) 기판 상에, 산의 작용에 의하여 극성이 증대되어 유기 용제를 포함하는 현상액에 대한 용해성이 감소하는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 (1)을 이용하여 제1 막을 형성하는 공정 (i-2) 제1 막을 노광하는 공정 (i-3) 노광한 제1 막을, 유기 용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상하여, 제1 네거티브형 패턴을 형성하는 공정 (iii) 적어도 제1 네거티브형 패턴 상에, 산의 작용에 의하여 극성이 증대되어 유기 용제를 포함하는 현상액에 대한 용해성이 감소하는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 (2)를 이용하여 제2 막을 형성하는 공정, (v) 제2 막을 노광하는 공정, 및 (vi) 노광한 제2 막을, 유기 용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상하여, 적어도 제1 네거티브형 패턴 상에 제2 네거티브형 패턴을 형성하는 공정 을 갖는다.
申请公布号 KR101692807(B1) 申请公布日期 2017.01.05
申请号 KR20167021234 申请日期 2015.02.04
申请人 후지필름 가부시키가이샤 发明人 우에바 료스케;이구치 나오야;야마나카 츠카사;탄고 나오히로;시라카와 미치히로;카토 케이타
分类号 G03F7/00;G03F7/038;G03F7/32;H01L21/027;H01L21/311 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人
主权项
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