| 摘要 |
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이미지 센서의 제조 방법은 픽셀 어레이 영역 및 주변 회로 영역을 가지는 기판을 제공하는 단계, 상기 픽셀 어레이 영역 및 상기 주변 회로 영역에 복수의 트랜지스터들을 형성하는 단계, 상기 픽셀 어레이 영역에 적어도 하나의 포토 다이오드를 형성하는 단계, 상기 복수의 트랜지스터들 및 상기 적어도 하나의 포토 다이오드가 형성된 상기 기판의 상부에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층의 상부에 적어도 하나의 금속 배선층 및 적어도 하나의 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 포토 다이오드의 상부에 형성된 상기 적어도 하나의 층간 절연막의 일부를 식각하여 상기 적어도 하나의 층간 절연막의 일부를 노출시키는 단계, 및 노출된 상기 적어도 하나의 층간 절연막의 계면을 소수성으로 개질하는 단계를 포함한다. |
