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Leistungs-IGBT, der folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer Emitterzone (11) eines ersten Leitungstyps und einer sich an die Emitterzone (11) anschließenden Driftzone (12) eines zweiten Leitungstyps, – ein Zellenfeld mit einer Anzahl Transistorzellen (13), die jeweils eine Sourcezone, (15) eine zwischen der Sourcezone (15) und der Driftzone angeordnete Bodyzone (14) und eine isoliert gegenüber der Sourcezone (15) und der Bodyzone (14) angeordnete Gate-Elektrode (16) aufweisen und bei denen die Sourcezone (15) und die Bodyzone (14) kurzgeschlossen sind, wobei das Zellenfeld einen ersten Zellenfeldabschnitt (101) mit einer ersten Zellendichte und einen zweiten Zellenfeldabschnitt (102) mit einer zweiten Zellendichte, die geringer ist als die erste Zellendichte, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Übergangsbereich zwischen dem ersten Zellenfeldabschnitt (101) und dem zweiten Zellenfeldabschnitt (102) in einer Richtung von dem zweiten zu dem ersten Zellenfeldabschnitt wenigstens eine Transistorzelle (131) vorhanden ist, bei der die Bodyzone (14) benachbart zu der Sourcezone (15) einen Abschnitt (141) aufweist, der in der Bodyzone (14) angeordnet ist und der eine gegenüber übrigen Abschnitten der Bodyzone (14) erhöhte Dotierungskonzentration aufweist. |
