发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit einer direkt an einen Mesaabschnitt und eine Feldelektrode angrenzenden Kontaktstruktur |
摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) einen Halbleiterteil (100) umgibt und die einen Transistorabschnitt (TS) des Halbleiterteiles (100) umgibt. Eine Feldplattenstruktur (160) umfasst eine Feldelektrode (165) und erstreckt sich von der ersten Oberfläche (101) in den Transistorabschnitt (TS). Ein Mesaabschnitt (170) des Halbleiterteiles (100) trennt die Feldplattenstruktur (160) und die Gatestruktur (150). Eine Kontaktstruktur (315) umfasst einen ersten Teil (315a) direkt angrenzend an den Mesaabschnitt (170) und einen zweiten Teil (315b) direkt angrenzend an die Feldelektrode (165). Die ersten und zweiten Teile (315a, 315b) umfassen Streifen und sind direkt miteinander verbunden. |
申请公布号 |
DE102015110737(A1) |
申请公布日期 |
2017.01.05 |
申请号 |
DE201510110737 |
申请日期 |
2015.07.03 |
申请人 |
Infineon Technologies Austria AG |
发明人 |
Laforet, David;Schwarz, Elisabeth;Weissnicht, Beate |
分类号 |
H01L29/41;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/41 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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