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发明名称
半導体装置の製造方法
摘要
【課題】電流特性に優れ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、第1絶縁膜と導電膜がこの順で基板上に複数回繰り返して積層された積層体に設けられたホールの内壁に、第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上の多結晶シリコン膜と を形成する工程と、オゾンまたは酸素ラジカルの雰囲気中で熱アニール処理を行って前記第2絶縁膜と前記多結晶シリコン膜との界面における欠陥を減らす工程と、を持つ。【選択図】図10
申请公布号
JP2017005105(A)
申请公布日期
2017.01.05
申请号
JP20150117526
申请日期
2015.06.10
申请人
株式会社東芝
发明人
青山 知憲
分类号
H01L27/115;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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