| 发明名称 |
垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体 |
| 摘要 |
【課題】飽和磁化が小さく平坦な垂直磁化膜構造を提供すること、およびこの垂直磁化膜構造を用いた垂直トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】ＭｎＧａ合金に窒素Ｎを制御して導入して形成した窒素不足組成の（Ｍｎ１−ｘＧａｘ）４Ｎ１−ｙ（０＜ｘ≦０．５、０＜ｙ＜１）薄膜もしくは、Ｇａに代わる金属元素としてＧｅ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｒｈの１種以上を有する薄膜であり、室温よりも優に高いキュリー温度を示し、従来材料よりも小さい飽和磁化を持ち、極めて平坦膜として形成可能である垂直磁化膜とこれを有する構造とする。【選択図】図１０ |
| 申请公布号 |
JP2017005243(A) |
申请公布日期 |
2017.01.05 |
| 申请号 |
JP20160084773 |
申请日期 |
2016.04.20 |
| 申请人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構;サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド |
发明人 |
介川 裕章;リ・ワチョル;宝野 和博;三谷 誠司;大久保 忠勝;劉 軍;葛西 伸哉;キム・グワンソク |
| 分类号 |
H01F10/18;G11B5/39;G11B5/64;H01F10/32;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
主分类号 |
H01F10/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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