Verfahren zur Herstellung einer isolierenden Deckschicht für eine Kupfermetallisierungsschicht unter Anwendung einer Silanreaktion

摘要

Verfahren mit: Bilden eines Metallgebiets (203) auf Kupferbasis in einer dielektrischen Schicht einer Metallisierungsschicht (207) eines Halbleiterbauelements (200), wobei das Metallgebiet (203) auf Kupferbasis eine freiliegende Oberfläche (203a) aufweist; in einer Prozesskammer: Heizen des Substrats (201) auf eine Temperatur von 250°C bis 500°C; Reinigen der freiliegenden Oberfläche (203a) mittels einer thermisch chemischen Behandlung in Abwesenheit einer Plasmaumgebung durch Zuführen von Ammoniak und Stickstoff und durch Aufheizen der freiliegenden Oberfläche (203a); Modifizieren der gereinigten Oberfläche (203a) in einer thermischen Behandlung auf der Grundlage eines siliziumenthaltenden Vorstufenmaterials in Abwesenheit einer Plasmaumgebung; Entfernen von Gaskomponenten einer Umgebung, die während des Modifizierens der Oberfläche (203a) erzeugt wurde; und Abscheiden einer Deckschicht auf der modifizierten Oberfläche (203a) nach Entfernen der Gaskomponenten; wobei das Abscheiden der Deckschicht in-situ mit dem Modifizieren der gereinigten Oberfläche (203a) und dem Entfernen der Gaskomponenten ausgeführt wird; und wobei Entfernen der Gaskomponenten Unterbrechen der Zufuhr von Gasen zu der freiliegenden Oberfläche (203a) und Abpumpen der Prozesskammer unter Beibehalten der Temperatur des Substrats (201) umfasst.