Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern

摘要

Plasma-Behandlungsvorrichtung für Substrate, insbesondere Halbleiterwafer für Halbleiter- oder Photovoltaikanwendungen, die Folgendes aufweist: einen langgestreckten Prozessraum, der einen Aufnahmebereich für ein Waferboot, das zur Aufnahme einer Vielzahl von Wafern geeignet ist, definiert; wenigstens ein sich in Längsrichtung im Prozessraum erstreckendes Gasführungsrohr, das auf einer Seite des Aufnahmebereichs angeordnet ist; wenigstens ein sich in Längsrichtung im Prozessraum erstreckendes Gasführungsrohr, das auf der gegenüberliegenden Seite des Aufnahmebereichs angeordnet ist; wobei die Gasführungsrohre jeweils eine Vielzahl von wenigstens in Längsrichtung der Gasführungsrohre beabstandete Durchgangsöffnungen für den Durchtritt von Gas aufweisen, wobei die Durchgangsöffnungen in der zum Aufnahmebereich weisenden Seite der Gasführungsrohre ausgebildet sind; wenigstens eine Gaszuführeinheit und wenigstens eine Gasabführeinheit, wobei die wenigstens eine Gaszuführeinheit mit dem wenigstens einen Gasführungsrohr und die wenigstens eine Gasabführeinheit mit dem anderen Gasführungsrohr verbindbar ist.