一种BTS型栅SOI器件的建模方法

摘要

一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为BTS型栅SOI MOS器件，该方法包括：a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；b.计算额外栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外的栅电容，生成最终模型。根据本发明提供的建模方法，考虑BTS型栅SOI器件中额外的山电容对器件的性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对BTS型栅SOI器件的仿真设计。

主权项

一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为BTS型栅SOI MOS器件，该方法包括：a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数，根据所提取的MOS管的交流参数，获得该MOS管的电容，根据MOS管的电容获取单位面积栅氧电容；b.计算额外栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外栅电容，生成最终模型。