一种层数可控的二硫化钼TEM样品的制备方法

摘要

本发明公开了一种层数可控的制备二硫化钼TEM样品的方法，包括：(1)机械剥离，从二硫化钼材料表面撕离一块二硫化钼薄片，多次粘合分离直至样品较为密集；(2)转移样品，裁出一块硅片，将上述胶带对着硅片抛光面贴上，然后将胶带撕下；(3)光镜观察，通过AFM精确判断该二硫化钼薄片的层数；(4)在光镜下找到薄区后，将微栅盖在薄区上，滴加异丙醇，使得薄片与碳膜充分结合；(5)向上述微栅上滴加氢氧化钾溶液刻蚀硅片；(6)将上述微栅置入去离子水中溶解；(7)将上述微栅转移到异丙醇溶液中浸泡；(8)将上述微栅晾干，即得所述层数可控的二硫化钼TEM样品。本发明的方法简单，制备的二硫化钼TEM样品层数可控、时间短、效率高、无污染。

主权项

一种层数可控的二硫化钼TEM样品的制备方法，其特征在于，包括：(1)机械剥离，用胶带从二硫化钼材料表面撕离一块二硫化钼薄片，然后多次粘合分离直至胶带上样品较为密集；(2)转移样品，用金刚石刀裁出一块大小与步骤(1)使用的胶带大小相近或相同的硅片，将完成步骤(1)的胶带有样品的一面对着硅片抛光面贴上，然后将胶带撕下；(3)光镜观察，将完成步骤(2)的硅片置于光镜下观察，寻找最接近硅片基底颜色的薄片并通过原子力显微镜(AFM)精确判断该二硫化钼薄片的层数；(4)在光镜下找到薄区后，将微栅盖在薄区上，碳膜的一面朝下与薄片接触，滴加异丙醇，使得薄片与碳膜充分结合；(5)向完成步骤(4)的微栅上滴加氢氧化钾溶液刻蚀硅片，使二硫化钼薄片脱离二氧化硅基底，浮上氢氧化钾溶液表面；(6)将完成步骤(5)的微栅置入去离子水中溶解；(7)从完成步骤(6)的微栅转移到异丙醇溶液中浸泡；(8)将完成步骤(7)的微栅捞出后晾干，即得所述层数可控的二硫化钼TEM样品。