一种DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件

摘要

本发明实施例公开了双扩散金属氧化物半导体DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件。本发明实施例中通过在N型衬底上形成N型外延层、栅氧化层和掺杂的多晶硅层，并形成栅极区域及凹槽；在所述N型外延层内形成P型体区,在所述P型体区内形成N型源区；刻蚀形成肖特基接触区域；淀积金属层，在肖特基接触区域形成肖特基接触区，形成源极和漏极。本发明实施例中使得金属层与N型外延层形成肖特基接触区。当DMOS器件工作在正向导通时，减少了在漂移区的存储电荷，以及反向恢复电荷；当DMOS器件处在反向阻断状态时，降低了肖特基接触的电场，提升了肖特基接触击穿电压和减小了漏电流，使DMOS器件满足应用时的击穿电压和漏电要求。

主权项

一种双扩散金属氧化物半导体DMOS器件有源区的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、栅氧化层和掺杂的多晶硅层；刻蚀所述掺杂的多晶硅层和所述栅氧化层，形成栅极区域和凹槽；所述栅极区域为相邻凹槽间的所述掺杂的多晶硅层和位于所述掺杂的多晶硅层下方的所述栅氧化层；注入P型离子在所述凹槽对应的N型外延层内形成P型体区；注入N型离子在所述P型体区内形成N型源区；至少刻蚀所述凹槽间的一个栅极区域，形成肖特基接触区域；淀积第一金属层，在所述肖特基接触区域形成肖特基接触区；形成源极和漏极。