| 发明名称 | 三维半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了改善的半导体存储器元件及制造此类半导体存储器元件的方法。该半导体存储器元件中，栅极结构包括：一基板；一第一介电层，沿该基板配置；一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及一第二介电层，沿该第一导电层配置，其中该第一导电层包括多个p型掺杂物及多个n型掺杂物，且其中该些p型掺杂物形成一p型掺杂物区域，且该些n型掺杂物形成一n型掺杂物区域。此方法可包含于导体层中形成p-n结。此方法能够产生尺寸缩减的半导体存储器元件。 | ||
| 申请公布号 | CN106298890A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510265966.2 | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 古绍泓;李智雄 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种栅极结构，其特征在于，包括：一基板；一第一介电层，沿该基板配置；一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及一第二介电层，沿该第一导电层配置，其中该第一导电层包括多个p型掺杂物及多个n型掺杂物，且其中该些p型掺杂物形成一p型掺杂物区域，且该些n型掺杂物形成一n型掺杂物区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||