| 发明名称 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，包括：第一导电类型半导体衬底；位于所述第一导电类型半导体衬底之上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层之上的栅氧化层；以及，位于所述栅氧化层之上的多晶硅栅极；在所述第一导电类型外延层之中设置有第一导电类型源区、第二导电类型体区和第二导电类型埋层。本发明解决了VDMOS由于穿通现象而源漏漏电的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106298926A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510303482.2 | 申请日期 | 2015.06.05 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;闻正锋;赵文魁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型半导体衬底；位于所述第一导电类型半导体衬底之上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层之上的栅氧化层；以及，位于所述栅氧化层之上的多晶硅栅极；在所述第一导电类型外延层之中设置有第一导电类型源区、第二导电类型体区和第二导电类型埋层；所述第二导电类型埋层位于所述第一导电类型源区在所述半导体衬底垂直方向上且位于所述第二导电类型体区下方，所述第二导电类型埋层与所述第二导电类型体区相接触，且所述第二导电类型埋层沿所述半导体衬底水平方向的长度小于所述第二导电类型体区沿所述半导体衬底水平方向的长度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||