| 发明名称 | 一种深度负载可调的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深度负载可调的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够在不增加工艺的前提下，调节硅片的深度负载效应。该深度负载可调的刻蚀方法包括硬掩膜刻蚀步骤、深度负载效应调节步骤和浅沟槽刻蚀步骤；在所述硬掩膜刻蚀步骤中，对大开口处和小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述大开口处的硬掩膜完全去除，所述小开口处的硬掩膜部分残留；在所述深度负载效应调节步骤中，对所述小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述小开口处的硬掩膜完全去除，对所述大开口处的硅进行刻蚀，所述大开口处的刻蚀深度和所述小开口处的刻蚀深度之间的差异可调；在所述浅沟槽刻蚀步骤中，对所述大开口处和所述小开口处的硅进行刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN106298503A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510263208.7 | 申请日期 | 2015.05.21 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 符雅丽 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种深度负载可调的刻蚀方法，其特征在于，包括硬掩膜刻蚀步骤、深度负载效应调节步骤和浅沟槽刻蚀步骤；在所述硬掩膜刻蚀步骤中，对大开口处和小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述大开口处的硬掩膜完全去除，所述小开口处的硬掩膜部分残留；在所述深度负载效应调节步骤中，对所述小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述小开口处的硬掩膜完全去除，对所述大开口处的硅进行刻蚀，所述大开口处的刻蚀深度和所述小开口处的刻蚀深度之间的差异可调；在所述浅沟槽刻蚀步骤中，对所述大开口处和所述小开口处的硅进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||