发明名称 |
一种模拟投票器电路 |
摘要 |
本发明提供一种模拟投票器电路,精度高,功耗小,速度快。包括连接在电源电压和输出端口之间的放大单元,以及依次连接在输出端口和接地端口的比较单元和尾电路单元;所述的比较单元包括第一支路和第二支路;第一支路包括n+1个n‑fet晶体管,n‑fet晶体管的漏端均连接输出端口out,源端均经尾电路单元接地,其中n个n‑fet晶体管的源端连接n位的输入信号,另一个n‑fet晶体管的源端接地;第二支路包括n+1个n‑fet晶体管,n‑fet晶体管的漏端均连接输出端口out_n,源端均经尾电路单元接地,其中n个n‑fet晶体管的源端连接n位的输入反信号,另一个n‑fet晶体管的源端连接电源电压。 |
申请公布号 |
CN106301353A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610850626.0 |
申请日期 |
2016.09.26 |
申请人 |
西安紫光国芯半导体有限公司 |
发明人 |
亚历山大 |
分类号 |
H03K19/23(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/23(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
李宏德 |
主权项 |
一种模拟投票器电路,其特征在于,包括连接在电源电压和输出端口之间的放大单元,以及依次连接在输出端口和接地端口的比较单元和尾电路单元;所述的比较单元包括第一支路和第二支路;第一支路包括n+1个n‑fet晶体管,n‑fet晶体管的漏端均连接输出端口out,源端均经尾电路单元接地,其中n个n‑fet晶体管的源端连接n位的输入信号,另一个n‑fet晶体管的源端接地;第二支路包括n+1个n‑fet晶体管,n‑fet晶体管的漏端均连接输出端口out_n,源端均经尾电路单元接地,其中n个n‑fet晶体管的源端连接n位的输入反信号,另一个n‑fet晶体管的源端连接电源电压。 |
地址 |
710075 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 |