一种多晶硅刻蚀方法

摘要

本发明提供一种多晶硅刻蚀方法，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。本发明避免了因氮化硅残留颗粒的遮挡阻碍后续多晶硅刻蚀，极大地降低了多晶硅残留缺陷的产生。本发明的多晶硅刻蚀方法无需增加光刻次数，对后续工艺几乎没有影响，并且成功避免了使用传统DARC作为硬掩膜的不足，也成功减少了SiN作为硬掩膜带来的多晶硅残留缺陷，可以有效提高产品良率。

主权项

一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。