| 发明名称 | 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si‑Ge、GaAs‑InAs、InP‑InGaAs、InAlAs‑InGaAs、GaAs‑AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。 | ||
| 申请公布号 | CN106299015A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610847176.X | 申请日期 | 2016.09.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达;魏峯 |
| 主权项 | 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，其特征在于：在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||