发明名称 |
用于晶硅太阳电池正面阻扩散层电极的镍浆及其制备方法 |
摘要 |
一种用于晶硅太阳电池正面阻扩散层电极的镍浆,由85~95wt%的纳米镍粉、1~5wt%的玻璃粉和4~14wt%的有机载体组成。将有机载体置于恒温容器中加热搅拌,依次向容器中加入纳米镍粉和玻璃粉,然后将制得的混合物置于三辊研磨机中研磨,之后用丝网过滤,得到所述的镍浆。镍浆预置在晶硅太阳电池正面后烘干制得阻扩散层镍电极,作为晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的阻扩散层电极,阻止铜原子向硅中扩散。 |
申请公布号 |
CN106297947A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610649494.5 |
申请日期 |
2016.08.10 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
李涛;王文静 |
分类号 |
H01B1/16(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲 |
主权项 |
一种用于晶硅太阳电池正面阻扩散层电极的镍浆,其特征在于:所述的镍浆由85~95wt%的纳米镍粉、1~5wt%的玻璃粉和4~14wt%的有机载体组成;所述的纳米镍粉的粒径为500~800nm,纯度大于99%;所述的镍浆预置在晶硅太阳电池正面,烘干后制得阻扩散层镍电极,作为晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的阻扩散层电极,阻止铜原子向硅中扩散;所述的晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北二条6号 |