发明名称 |
阶梯膜层的形成方法 |
摘要 |
本发明提供了一种阶梯膜层的形成方法,包括如下步骤:提供基底,在所述基底上形成阻挡层;以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成一级阶梯;在所述阻挡层和所述一级阶梯上形成聚合物层;刻蚀靠近所述一级阶梯一侧的部分阻挡层,去除所聚合物层,在所述基底上形成阶梯面;以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成二级阶梯。在本发明提供的阶梯膜层的形成方法中,通过在阻挡层和形成的阶梯上覆盖一层聚合物层,减少了后续刻蚀工艺的影响,从而减少对阻挡层的损耗,进而使相同厚度的阻挡层能够形成更多级数的阶梯,提高了生产效率,于是降低了生产成本。 |
申请公布号 |
CN106298459A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610885125.6 |
申请日期 |
2016.10.10 |
申请人 |
武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人 |
夏建军;胡瑞;刘孟勇;刘志攀;邹浩 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种阶梯膜层的形成方法,其特征在于,包括如下步骤,S1:提供基底,在所述基底上形成阻挡层;S2:以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成一级阶梯;S3:在所述阻挡层和所述一级阶梯上形成聚合物层;S4:刻蚀靠近所述一级阶梯一侧的部分阻挡层,去除所聚合物层,在所述基底上形成阶梯面;S5:以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成二级阶梯。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |