发明名称 阶梯膜层的形成方法
摘要 本发明提供了一种阶梯膜层的形成方法,包括如下步骤:提供基底,在所述基底上形成阻挡层;以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成一级阶梯;在所述阻挡层和所述一级阶梯上形成聚合物层;刻蚀靠近所述一级阶梯一侧的部分阻挡层,去除所聚合物层,在所述基底上形成阶梯面;以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成二级阶梯。在本发明提供的阶梯膜层的形成方法中,通过在阻挡层和形成的阶梯上覆盖一层聚合物层,减少了后续刻蚀工艺的影响,从而减少对阻挡层的损耗,进而使相同厚度的阻挡层能够形成更多级数的阶梯,提高了生产效率,于是降低了生产成本。
申请公布号 CN106298459A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610885125.6 申请日期 2016.10.10
申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 发明人 夏建军;胡瑞;刘孟勇;刘志攀;邹浩
分类号 H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种阶梯膜层的形成方法,其特征在于,包括如下步骤,S1:提供基底,在所述基底上形成阻挡层;S2:以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成一级阶梯;S3:在所述阻挡层和所述一级阶梯上形成聚合物层;S4:刻蚀靠近所述一级阶梯一侧的部分阻挡层,去除所聚合物层,在所述基底上形成阶梯面;S5:以所述阻挡层为掩膜,刻蚀所述基底形成二级阶梯。
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