| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种抑制了在半导体层产生与热应力相伴的裂纹的半导体装置。发射极电极(120)具有第1电极层(121)、第2电极层(122)以及第3电极层(123)。第1～3电极层(121～123)依次层叠在发射极层(106)之上。在第3电极层(123)还层叠有焊料层(130)。第1电极层(121)在半导体芯片(102)的表面覆盖发射极层(106)以及栅极氧化膜(109)。形成第1电极层(121)的第1导电性材料以AlSi为主要成分。构成第2电极层(122)的第2导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且与第1导电性材料相比机械强度较低。构成第3电极层(123)的第3导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且焊料浸润性与第1电极层(121)相比较高。 | ||
| 申请公布号 | CN106298881A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610096571.9 | 申请日期 | 2016.02.22 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 信国晃彦;大木博文;友松佳史 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有：半导体层；第1电极层，其设置在所述半导体层的表面，由第1导电性材料形成；第2电极层，其层叠在所述第1电极层，由第2导电性材料形成，该第2导电性材料具有与所述第1导电性材料不同的线膨胀系数、且与所述第1导电性材料相比机械强度较低；以及第3电极层，其层叠在所述第2电极层，由第3导电性材料形成，该第3导电性材料具有与所述第1导电性材料不同的线膨胀系数、且焊料浸润性与所述第1导电性材料相比较高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||