耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管

摘要

本发明公开了一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管，包括硅衬底；所述硅衬底的两端为硅氧化物制成的隔离区；所述隔离区和所述硅衬底之间有一层过渡层；所述硅衬底的正中间为多晶硅栅；所述多晶硅栅的底部为向上凸起状；所述多晶硅栅的底部和所述硅衬底之间有一层二氧化硅；所述多晶硅栅的顶部由一层钛多晶硅化物；所述多晶硅栅和所述隔离区之间、所述硅衬底之内有P型掺杂的源区和漏区；所述多晶硅栅的两侧有侧墙；在所述多晶硅栅的底部、所述硅衬底之中，有将源区和漏区连接在一起的P型掺杂层。在本发明中，栅极的衬底向上凸出，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。

主权项

一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管，其特征在于，包括硅衬底(1)；所述硅衬底(1)的两端为硅氧化物制成的隔离区(3)；所述隔离区(3)和所述硅衬底(1)之间有一层过渡层(2)；所述硅衬底(1)的正中间为多晶硅栅(5)；所述多晶硅栅(5)的底部为向上凸起状；所述多晶硅栅(5)的底部和所述硅衬底(1)之间有一层二氧化硅(7)；所述多晶硅栅(5)的顶部由一层钛多晶硅化物(6)；所述多晶硅栅(5)和所述隔离区(3)之间、所述硅衬底(1)之内有P型掺杂的源区(8)和漏区(4)；所述多晶硅栅(5)的两侧有侧墙(9)；在所述多晶硅栅(5)的底部、所述硅衬底(1)之中，有将源区(8)和漏区(4)连接在一起的P型掺杂层(10)。