| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，在所述有源层和所述漏极之间形成有单向导通器件，以使电信号经所述单向导通器件由所述有源层传递至所述漏极。本发明的技术方案能够有效降低薄膜晶体管的关态电流，改善显示装置的显示效果。 | ||
| 申请公布号 | CN106298815A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610966325.4 | 申请日期 | 2016.10.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李延钊;孟虎;毛德丰 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 刘伟;张博 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，其特征在于，在所述有源层和所述漏极之间形成有单向导通器件，以使电信号经所述单向导通器件由所述有源层传递至所述漏极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||